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 三星电子是先进存储器技术的全球领导者，近日宣布已成功开发出业界首款10纳米（nm）级* 8千兆位（Gb）LPDDR5 DRAM。自从2014年第一款8Gb LPDDR4投入量产以来，三星已经开始转向LPDDR5标准，用于即将推出的5G和人工智能（AI）移动应用。

新开发的8Gb LPDDR5是三星优质DRAM阵容的最新成员，其中包括10nm级16Gb GDDR6 DRAM（自2017年12月开始批量生产）和16Gb DDR5 DRAM（2月开发）。

“这种8Gb LPDDR5的开发代表了低功耗移动存储器解决方案向前迈出的重要一步，”三星电子内存产品规划和应用工程高级副总裁Jinman Han表示。“随着我们加速在全球范围内更多地使用优质内存，我们将继续扩展下一代10nm级DRAM阵容。”

8Gb LPDDR5的数据速率高达每秒6400兆比特（Mb / s），是现有旗舰移动设备（LPDDR4X，4266Mb / s）中移动DRAM芯片的1.5倍。随着传输速率的提高，新的LPDDR5可以在一秒钟内发送51.2千兆字节（GB）的数据，或大约14个全高清视频文件（每个3.7GB）。

10nm级LPDDR5 DRAM将提供两个带宽--1.100Mb / s，1.1工作电压（V）和5,500Mb / s（1.05V） - 使其成为下一代智能手机和汽车系统最通用的移动存储解决方案。通过一些体系结构增强，这种性能提升成为可能。通过将存储器“存储体”（DRAM单元内的细分）的数量从8倍增加到16倍，新存储器可以在降低功耗的同时获得更高的速度。8Gb LPDDR5还采用了先进的，速度优化的电路架构，可以验证并确保芯片的超高速性能。

为了最大限度地节省功耗，10nm级LPDDR5设计用于在处于活动模式时根据相应应用处理器的运行速度降低其电压。它还配置为避免用'0'值覆盖单元格。此外，新的LPDDR5芯片将提供“深度睡眠模式”，将功耗降低到当前LPDDR4X DRAM“空闲模式”的大约一半。凭借这些低功耗特性，8Gb LPDDR5 DRAM可将功耗降低高达30％，最大限度地提高移动设备性能并延长智能手机的电池寿命。

杰驰电子将为你提供最新的产品信息，为你提供最前沿的技术产品报道.基于业界领先的带宽和功率效率，LPDDR5将能够为人工智能和机器学习应用提供动力，并将与全球移动设备兼容。

三星与全球领先的芯片供应商一起完成了原型8GB LPDDR5 DRAM封装的功能测试和验证，该封装由8个8Gb LPDDR5芯片组成。三星利用位于韩国平泽的最新生产基地的尖端制造基础设施，计划开始批量生产其下一代DRAM产品阵容（LPDDR5，DDR5和GDDR6），以满足全球客户的需求。